AOW20C60

· 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
AOW20C60
类别
功率MOSFET
连续漏极电流Id20A(Tc)
FET类型N-Channel
栅极电压Vgs±30V
Rds On(Max)@Id,Vgs250 mΩ @ 10A,10V
栅极电荷Qg74nC @ 10V
封装/外壳TO-262
Pd-功率耗散(Max)463W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源极电压Vds600V

功率MOSFET   TO-262

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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