型号参数与资料
- 型号
- AOW10N65
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| 封装/外壳 | TO-262 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 650V |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| 连续漏极电流Id | 10A |
| Pd-功率耗散(Max) | 250W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1000mΩ@10V |
| VGS(th) | 4.5 |
| Ciss(pF) | 1369 |
| Coss(pF) | 118 |
| Crss(pF) | 10 |
| Qg*(nC) | 27.7* |
| Qgd(nC) | 11.3 |
| Td(on)(ns) | 30 |
| Td(off)(ns) | 74 |
| Trr(ns) | 320 |
| Qrr(nC) | 6000 |
功率MOSFET TO-262
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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