型号参数与资料
- 型号
- AON5810
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| FET类型 | 2N-Channel |
|---|---|
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 7.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 18mΩ@7.7A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 13.1nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1360pF @ 10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-DFN-EP(2x5) |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W |
功率MOSFET 6-DFN-EP(2x5)
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。