型号参数与资料
- 型号
- AON5802B
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 封装/外壳 | DFN 2x5 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | Yes |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 栅极电压Vgs | 12V |
| 连续漏极电流Id | 7.2A |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.6W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@4.5V |
| Rds On(Max)@2.5V | 30mΩ |
| VGS(th) | 1.5 |
| Ciss(pF) | 920 |
| Coss(pF) | 105 |
| Crss(pF) | 52 |
| Qg*(nC) | 7.5 |
| Qgd(nC) | 2.5 |
| Td(on)(ns) | 320 |
| Td(off)(ns) | 4350 |
| Trr(ns) | 21.6 |
| Qrr(nC) | 10 |
通用MOSFET DFN2x5
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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