参数	值
产品	未分类
型号编码	AON3613
说明	未分类   8-SMD,扁平引线 8-DFN(2.9x2.3) DFN8
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	6000
最小包	6000
现货	12376 [库存更新时间：2025-04-05]
FET类型	N 和 P 沟道,共漏
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	4.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	52 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	245pF @ 15V
功率	2.1W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-SMD,扁平引线
封装/外壳	8-DFN(2.9x2.3)
安装	SMD
封装/外壳	DFN8
开启状态电阻	50/68m Ohms
晶体管种类	补充
FET类型	N/P-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±20V
漏极-源极电压	30/-30V
漏极电流	3.5/-3.5A
耗电	1.3W