型号参数与资料
- 型号
- AON3419
- 类别
- 通用MOSFET
| 封装/外壳 | DFN 3x3 |
|---|---|
| FET类型 | P-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | -30V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | -10A |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.1W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 19mΩ@10V |
| Rds On(Max)@4.5V | 32mΩ |
| VGS(th) | -2.5 |
| Ciss(pF) | 1040 |
| Coss(pF) | 180 |
| Crss(pF) | 125 |
| Qg*(nC) | 9.6 |
| Qgd(nC) | 4.5 |
| Td(on)(ns) | 10 |
| Td(off)(ns) | 26 |
| Trr(ns) | 11.5 |
| Qrr(nC) | 25 |
通用MOSFET DFN3x3
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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