参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AON2407 |
说明 | 功率MOSFET DFN2x2B_6L |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1 |
最小包 | 3000 |
现货 | 3248 [库存更新时间:2025-04-08] |
系列 | AON |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 746pF @ 15V |
栅极电压Vgs | ±12V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
FET类型 | P-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 6.3A(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 21nC |
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs | 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 746pF |
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds | 15V |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 37.5mΩ@6.3A,10V |
封装/外壳 | DFN2x2B_6L |
Pd-功率耗散(Max) | 2.8W |