型号参数与资料
- 型号
- AOD1N60
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| 封装/外壳 | TO-252 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| 连续漏极电流Id | 1.3A |
| Pd-功率耗散(Max) | 45W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9000mΩ@10V |
| VGS(th) | 5 |
| Ciss(pF) | 130 |
| Coss(pF) | 14.5 |
| Crss(pF) | 1.8 |
| Qg*(nC) | 6.1 |
| Qgd(nC) | 3.1 |
| Td(on)(ns) | 10 |
| Td(off)(ns) | 20 |
| Trr(ns) | 114 |
| Qrr(nC) | 630 |
功率MOSFET TO-252
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。