AOC3878

AOS(万国半导体) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
AOC3878
品牌
AOS(万国半导体)
类别
功率MOSFET
封装/外壳AlphaDFN3.55x1.77A
FET类型N-Channel
ESD DiodeYes
Schottky DiodeNo
漏源极电压Vds12V
栅极电压Vgs8V
连续漏极电流Id35A
Pd-功率耗散(Max)3.1W
Rds On(Max)@Id,Vgs2mΩ@4.5V
Rds On(Max)@2.5V3.3mΩ
VGS(th)1.1
Qg*(nC)60

功率MOSFET   AlphaDFN3.55x1.77A

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

本页保留型号资料,不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。