参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	5LN01C-TB-E
说明	通用MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CP
起订量	6
最小包	6
现货	486 [库存更新时间：2024-04-14]
连续漏极电流Id	100mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4V
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	1.57nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	6.6pF @ 10V
栅极电压Vgs	±10V
Pd-功率耗散(Max)	250mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7.8 Ohms@50mA,4V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	CP
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	50V
连续漏极电流Id	0.1A