型号参数与资料
- 型号
- 2N7002WT1G
- 品牌
- ON(安森美)
- 类别
- 通用MOSFET
| 连续漏极电流Id | 310mA(Ta) |
|---|---|
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 24.5pF @ 20V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 280mW(Tj) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.6Ω@500mA,10V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/外壳 | SC-70 |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 0.31A |
通用MOSFET SC-70,SOT-323 SC-70
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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