2N7002K-7

Diodes(达尔(美台)) · 小信号MOSFET

型号参数与资料

型号
2N7002K-7
品牌
Diodes(达尔(美台))
类别
小信号MOSFET
连续漏极电流Id380mA(Ta)
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)0.3nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)50pF @ 25V
栅极电压Vgs±20V
Pd-功率耗散(Max)370mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs2Ω@500mA,10V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
漏源极电压Vds60V
连续漏极电流Id0.38A
连续漏极电流Id380mA
Qg-栅极电荷0.3nC
Rds On(Max)@Id,Vgs2Ω
栅极电压Vgs10V
栅极电压Vgs1V
上升时间3.4ns
下降时间9.9ns
典型关闭延迟时间15.7ns
典型接通延迟时间3.9ns
宽度1.3mm
FET类型N-Channel
系列2N7002
通道数量1Channel
配置Single
长度2.9mm
高度1mm

小信号MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2.9mm

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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