型号参数与资料
- 型号
- 1N5819
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 整流二极管
| FET类型 | 肖特基 |
|---|---|
| 反向电压Vr | 40V |
| 正向电流If | 1A |
| 正向电压Vf | 600mV @ 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 反向漏电流Ir | 500µA @ 40V |
| 结电容Cj | 110pF @ 4V,1MHz |
| 封装/外壳 | DO-41 |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 125°C |
整流二极管 DO-41
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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