型号参数与资料
- 型号
- STP90N6F6
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™ VI |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 84A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 74.9nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4295pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±20V |
| Pd-功率耗散(Max) | 136W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.8m Ohms@38.5A,10V |
| 工作温度 | 175°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220 |
| FET类型 | N-Channel |
| Ciss-输入电容 | 4295 pF |
| 连续漏极电流Id | 84A |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| FET类型 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| Pd-功率耗散(Max) | 136W |
| 配置 | Single |
| Qg-栅极电荷 | 74.9 nC |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 6.8mΩ |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 栅极电压Vgs | 4V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | ± 20 V |
| 上升时间 | 42 ns |
| 下降时间 | 16 ns |
通用MOSFET TO-220-3 TO-220
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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