型号参数与资料
- 型号
- MML60R190PTH
- 品牌
- MAGNACHIP
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 20 A |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 190 m0hms |
| 栅极电压Vgs | 4V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 封装/外壳 | I2PAK (TO-262) |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 功率 | 154 W |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 封装/外壳 | 10.29 x 4.63 x 11.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 1630 pF @ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 146 ns |
| 典型接通延迟时间 | 32 ns |
| 宽度 | 4.63mm |
| 高度 | 11.05mm |
| 长度 | 10.29mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
未分类 I2PAK(TO-262) 10.29x4.63x11.05mm 10.29mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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